| 姓名:王小敏 职称:讲师 硕导:是 邮箱:wxm@wit.edu.cn 地址:15vip太阳集团官网A312 |
教育及工作经历
2023.02-至今:太阳集团TYC官方入口官网,15vip太阳集团官网,讲师
2020.09-2022.10 深圳大学,物理与光电工程学院,博后
2015.09-2020.07 中国科学技术大学,材料物理与化学专业,博士
2011.09-2015.07 淮北师范大学,应用化学专业,本科
研究方向
无机金属硫化物薄膜
新能源材料与器件
主讲课程
高性能混凝土(本科生)
科研项目
1. 国家自然科学青年基金,2024-2026年,主持。
2. 湖北省自然科学青年基金,2023-2025年,主持。
3. 太阳集团TYC官方入口官网人才项目,2023-2026年,主持。
4. 博士后面上资助二等,2021-2022年,结题。
荣誉获奖
1. 2019年,获“中国科大-苏州工业园区”奖学金。
2. 2018年,获第22届太阳能光化学转换与存储国际大会“Best Poster Award”。
3. 2015年,获第六届‘挑战杯·中国联通’安徽省大学生课外学术科技作品竞赛三等奖。
近五年发表论文
1. Li, Bei, Dongdong Xiao, Chaoqun Shang, Xiaomin Wang*, Min Yan, and Pu Hu*. "Superior Reversibility of NASICON-Na3.5Mn0.5V1.5(PO4)3 Cathode Enabled by Dual-Carbon Conductive Network." Journal of Alloys and Compounds 977 (2024) 173259.
2. Jianmin Li*, Yuqi Zhao, Chuang Li, Shaoying Wang, Xueling Chen, Junbo Gong, Xiaomin Wang*, and Xudong Xiao*, Hydrazine hydrate-induced surface modification of CdS electron transport layer enables 10.30%-efficient Sb2(S,Se)3 planar solar cells, Advanced Science 2022, 2202356.
3. Xiaomin Wang, Xiaoqiang Shi, Fan Zhang, Feifan Zhou, Pengju Zeng, Jun Song, Junle Qu, Chemical etching induced surface modification and gentle gradient bandgap for highly efficient Sb2(S,Se)3 solar cell, Applied Surface Science 579 (2022) 152193.
4. Xiaomin Wang, Rongfeng Tang, Chenhui Jiang, Weitao Lian, Huanxin Ju, Guoshun Jiang, Zhiqiang Li, Changfei Zhu, and Tao Chen, Manipulating the electrical properties of Sb2(S,Se)3film for high-efficiency solar cell, Advanced Energy Materials 2020, 2002341.
5. Rongfeng Tang#, Xiaomin Wang#, Weitao Lian#, Jialiang Huang, Qi Wei, Menglin Huang, Yiwei Yin, Chenhui Jiang, Shangfeng Yang, Guichuan Xing, Shiyou Chen, Changfei Zhu, Xiaojing Hao, Martin A. Green, and Tao Chen, Hydrothermal deposition of antimony selenosulfide thin films enabling solar cells with 10% efficiency, Nature Energy 5 (2020) 587-595.
6. Zhaoliang Yang#, Xiaomin Wang#, Yuzhong Chen, Zhenfa Zheng, Zeng Chen, Wenqi Xu, Weimin Liu, Yang Yang, Jin Zhao, Tao Chen, and Haiming Zhu,Ultrafast self-trapping of photoexcited carriers sets the upper limit on antimony trisulfide photovoltaic devices, Nature Communications, 10 (2019) 1-8.
专利及软件著作权
1. 陈涛,唐荣风,王小敏,朱长飞,一种硒硫化锑薄膜的制备方法及其应用,公开号: CN 111320395A。